マイクロチップ・マニピュレータ
●概要
多様化する産業用多品種少量ダイ・ボンディングが増えています。
本システムは、このような少量ロット生産をサポートする小型かつ低コストのマイクロチップアセンブリシステムです。
従来のダイ・ボンダーは定型チップをアセンブリしますが、異型チップの小型モジュールへの搭載等、対応が難しい場合があります。
本システムは高剛性フレームに、低荷重マニピュレータヘッド(チップへの荷重:5g〜10g)を搭載しており、1μm以下の繰返精度で、□1μm〜□2mmのチップを自在な位置に搭載・融着します。
マイクロチップマニピュレータ外観
●pdfカタログはこちらをクリックしてください→マイクロチップマニピュレータカタログPDF

特徴
・PCサイズのマニピュレータは、究極の剛性を有し、石定盤や除振台無しで安定動作するため、作業机1台分のスペースで、ダイボンディングが可能になります。
・ダイボンディングの繰り返し精度1μmが可能です。
・チップサイズ□100μm〜□2mmに対応します。
・マニピュレータ上の動作範囲φ150mmの中で、チップ供給及びダイボンディングが可能です。
・金錫融着、銀ペイ融着、ハンダ融着、UV接着等をサポートします。
・LDチップ、PDチップ、レンズ、フィルター、等の搭載・組付を1μm精度で行います。
・吸着コレットではなく、ハンドでデバイスを搭載する為、高倍率の顕微鏡画像で搭載状況を確認する事ができます。
・ハンドやピンでデバイスを把持したまま融着・接着を行いますので、熱膨張、収縮、硬化収縮による影響を限りなく抑えることができます。


ソリューション

■融着ソリューション
1)金錫融着
パルスヒート加熱方式及び高周波加熱方式により、チップを10秒間で300℃以上に加熱し、約1秒で金錫融着を行います。
融着時にハンドがチップを把持している為、熱膨張・熱収縮等による影響を殆ど受けず1μm精度の融着を可能にします。
@パルスヒート加熱方式
パルスヒートヘッドを10秒間で300℃以上に加熱。マウント基板のパターン部分を下から高速加熱して、金錫融着を行います。 パルスヒートヘッド
A高周波加熱方式
誘電加熱コイルを10秒間で100℃以上に加熱する事により、加熱・加重ピンを10秒間で300℃以上に加熱。加熱・加重ピンにより、チップ上面を加熱して金錫融着を行います。 高周波加熱制御ユニット
2)銀ペースト及びハンダ融着

セラミックヒート加熱方式により1μm精度の銀ペースト及びハンダ融着を行ないます。
セラミックヒータ

■UV接着ソリューション
プレサイスゲージは独自のノウハウにより、UV照射が引き起こす熱収縮による、搭載精度の劣化を無くし、1μm以下の精度のUV接着を可能にします。
UV接着 UV光照射

構成

<標準構成>
・マニピュレータ機構部
・SUS製標準ハンド
・標準対物レンズ:×2.5 
・マニピュレータ制御ユニット
・マニピュレータ制御ソフト
・専用PC
・簡易画像計測ソフト

<オプション>
・画像位置決め機能
・画像観察用対物レンズ:×5、×10、×20
・セラミックヒーターユニット
・パルスヒーターユニット
・高周波加熱ユニット
・UV接着ユニット
・窒素パージカバー
・チップ押さえ機構
・チップ投入ステージ
・セラミックハンド
・発光点計測治具
・FFP観察ユニット

仕様

マイクロ把持ヘッド

開閉動作

片側最大2mm対象開閉、リモート電動

標準フィンガー

一対添付

把持力センサ

g表示対応

本体回転

180°ノッチ方式、手動

小型XYZステージ

動作

XY:手動、Z:リモート電動

テーブルサイズ

30mm

移動量

±5mm

送りねじピッチ

0.5mm

耐過重

1kg

ベースステージ

テーブルサイズ(θステージ)

φ80mm

移動量(XY/θ)

150mm/360°

θ微動

±

動作

リモート電動、手動併用

移動表示

0.1μmリニアスケール


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